Транзисторы MJE13001 и 13001
Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.
Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов.
Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15.
У MJE13001B — от 15 до 20.
У MJE13001C — от 20 до 25.
У MJE13001D — от 25 до 30.
У MJE13001E — от 30 до 35.
У MJE13001F — от 35 до 40.
У MJE13001G — от 40 до 45.
У MJE13001H — от 45 до 50.
У MJE13001I — от 50 до 55.
У MJE13001J — от 55 до 60.
У MJE13001K — от 60 до 65.
У MJE13001L — от 65 до 70.
Граничная частота передачи тока — 8МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.
Транзисторы MJE13003 и 13003
Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n, Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18 до 27.
У MJE13003D — от 27 до 40.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 400 В.
Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.
Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Схема "зарядки" для телефона.
R1 — 1 Ом, 1Ватт.
R2 — 20 кОм.
R3 — 680 кОм.
R4 — 100 кОм.
R5 — 43 Ом.
R6 — 5,1 Ом.
R7 — 33 Ом.
R8 — 1 кОм.
R9 — 1,5 кОм.
C1 — 22 мФ,25в(оксидный).
C2 — 1 нФ, 400в.
C3 — 3,3 нФ, 1000в.
C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 — 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 — стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 — диод 1N407.
VD4 — диод 1N4937.
VD5 — индикаторный светодиод.
Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".
13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.
Цоколевка
Транзисторы в корпусе ТО-92 у разных производителей отличатся по порядковому номеру вывода. Самая распространённая цоколевка выводов 13001 такая: 1 – эммитер Э (E), 2 -база Б (B), 3 — коллектор К (C). У известного производителя TSMC, с аналогичной маркировкой на корпусе, номера ножек 1–Э (E), 2-К (C), 3-Б (B), а у транзисторов с маркировкой mje 3–Э (E), 2-К (C), 1-Б (B).
Так выглядит распиновка 13001-SOT-23 (производитель YFWDIODE)
Параметры
Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92 или SOT-23;
- материал корпуса – пластик;
- материал – монокристаллический кремний;
электрические (для устройства в корпусе ТО-92):
электрические (для устройств в корпусе SOT-23):
Комплементарная пара
Комплементарный аналог у 13001 отсутствует.
Маркировка
Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.
Будьте внимательны ! Цоколевка транзисторов 13001, TS13001, MJE13001 разная.
Замена и аналоги
В качестве замены подойдут более мощные транзисторы серии 13000: 13002, 13003, 13005, 13007, 13009, MJE13002, MJE13003, MJE13005. При этом придется учесть немного большие размеры корпусов и распиновку, которая тоже может отличаться. Российский аналог 13001 являются транзистор КТ538А, и очень похожий по параметрам, но в другом корпусе транзистор КТ8270А.
Использование
Транзистор 13001 самые маломощные в линейке 13000. Его используют там, где не нужны высокие токи. Например в пускорегулирующих устройствах для люминисцентных ламп малой мощности и во многом другом.
Интересный факт что транзистор 13001 ставят в лягушки (зарядное устройства) в который из за сильного нагревания он часто выходит из строя.
Можно попробовать сделать усилитель низкой частоты своими руками.
Безопасность в использовании
Не допускайте повышения напряжения в цепи К-Э более 500 В и коллекторного тока более 200 мА. Подберите подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте перегрева более +150 °С. Пайка выводов допускается не ближе 5 миллиметров от корпуса устройства, не более 2-3 секунд на каждый электрод. Предельная температура пайки не должна быть больше +250 °С.
Производители
DGNJDZ (Nanjing International Group);
Semtech Electronics Ltd.;
YFWDIODE (Dongguan you feng wei electronics).
Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009
Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009 — это биполярные n-p-n транзисторы широко распространенные в импортных бытовых приборах (люмининсцентные энергосберегающие лампы, зарядные устройства и блоки питания от мощных компьютерных до маломощных бытовых).
Серия транзисторов MJE13001 — MJE13009 биполярные высоковольтные с N-P-N проводимостью специально разработана для использования в импульсной технике. Они характеризуются высоким напряжением и повышенным быстродействием.
Транзистор 13003 — аналог, datasheet, цоколевка, параметры, замена
Транзистор 13003 имеет множество имён, которые зависят от фирмы производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное название mje 13003 или MJE13003
Транзистор 13001 Цоколевка
В зависимости от фирмы-производителя цоколевка транзистора может отличаться от приведенной. Указанная распиновка соответствует транзисторам «Motorola Inc»
параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13001
Absolute Maximum Ratings TC=25°C TO-92
Collector-Base Voltage V CBO 500 V
Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter- Base Voltage V EBO 9 V
Collector Current I C 0.3 A
Total Power Dissipation P C 7 W
Junction Temperature Tj 150 °C
Storage Temperature Tstg -65-150 °C
параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 100W | 700V | 400V | 9V | 12A | 150°C | — | 160 | 8/40 |
Транзистор 13005 Цоколевка
Аналоги импортных транзисторов серии 13001, 13003, 13005, 13007, 13009
