Лекция Тиристоры
Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, т. е. состояние низкой проводимости (тиристор заперт) и открытое состояние, т. е. состояние высокой проводимости.
Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор, изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).
Тиристор имеет нелинейную вольтамперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком (лавинообразно) и осуществляется внешним воздействием на прибор: либо напряжением (током), либо светом (для фототиристора). После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала, если протекающий через тиристор ток превышает некоторую величину, называемую током удержания.
Устройство и основные виды тиристоров
Рис. 1. Схемы тиристора: a) Основная четырёхслойная p-n-p-n структура b) Диодный тиристор с) Триодный тиристор.
Основная схема тиристорной структуры показана на рис. 1. Она представляет собой четырёхслойный полупроводник структуры p-n-p-n, содержащий три последовательно соединённых p-n перехода J1, J2, J3. Контакт к внешнему p-слою называется анодом, к внешнему n-слою — катодом. В общем случае p-n-p-n прибор может иметь до двух управляющих электродов (баз), присоединённых к внутренним слоям. Прибор без управляющих электродов называется диодным тиристором или динистором. Такие приборы управляются напряжением, приложенным между основными электродами. Прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором (иногда просто тиристором, хотя это не совсем правильно). В зависимости от того, к какому слою полупроводника подключён управляющий электрод, тринисторы бывают управляемыми по аноду и по катоду. Наиболее распространены последние.
Описанные выше приборы бывают двух разновидностей: пропускающие ток в одном направлении (от анода к катоду) и пропускающие ток в обоих направлениях. В последнем случае соответствующие приборы называются симметричными (так как их ВАХ симметрична) и имеют пятислойную структуру полупроводника. Симметричный тринистор называется также симистором или триаком (от англ. triac). Следует заметить, что вместо симметричных динисторов, называемых также диаками (от англ. diac), часто применяются их интегральные аналоги, обладающие лучшими параметрами.
Вольтамперная характеристика тиристора
Рис. 2. Вольтамперная характеристика тиристора
Типичная ВАХ тиристора, проводящего в одном направлении (с управляющими электродами или без них), приведена на рис 2. Она имеет несколько участков:
- Между точками 0 и 1 находится участок, соответствующий высокому сопротивлению прибора — прямое запирание.
- В точке 1 происходит включение тиристора.
- Между точками 1 и 2 находится участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
- Участок между точками 2 и 3 соответствует открытому состоянию (прямой проводимости).
- В точке 2 через прибор протекает минимальный удерживающий ток Ih.
- Участок между 0 и 4 описывает режим обратного запирания прибора.
- Участок между 4 и 5 — режим обратного пробоя.
Вольтамперная характеристика симметричных тиристоров отличается от приведённой на рис. 2 тем, что кривая в третьей четверти графика повторяет участки 0—3 симметрично относительно начала координат.
Дата добавления: 2015-11-20 ; просмотров: 1879 ; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ
Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или болееp-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.
Рис. 2. Вольтамперная характеристика тиристора
Типичная ВАХ тиристора, проводящего в одном направлении (с управляющими электродами или без них), приведена на рис 2. Она имеет несколько участков:
· Между точками 0 и (Vвo,IL) находится участок, соответствующий высокомусопротивлению прибора — прямое запирание (нижняя ветвь).
· В точке Vво происходит включение тиристора (точка переключения динистора во включённое состояние).
· Между точками (Vво, IL) и (Vн,Iн) находится участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением-неустойчивая область переключения во включённое состояние. При подаче разности потенциалов между анодом и катодом тиристора прямой полярности больше Vно происходит отпирание тиристора (динисторный эффект).
· Участок от точки с координатами (Vн,Iн) и выше соответствует открытому состоянию (прямой проводимости)
· На графике показаны ВАХ с разными токами управления (токами на управляющем электроде тиристора) IG (IG=0; IG>0; IG>>0), причём чем больше ток IG, тем при меньшем напряжении Vbo происходит переключение тиристора в проводящее состояние
· Пунктиром обозначен т. н. «ток включения спрямления» (IG>>0), при котором тиристор переходит в проводящее состояние при минимальном напряжении анод-катод. Для того, чтобы перевести тиристор обратно в непроводящее состояние необходимо снизить ток в цепи анод-катод ниже тока включения спрямления.
· Участок между 0 и Vbr описывает режим обратного запирания прибора.
· Участок далее Vbr — режим обратного пробоя.
Схемы включения тиристоров
В данной схеме включения тиристора, тиристор переходит в открытое состояние когда напряжение на входе 1 оптопары достигает 1,8-2,5В силой тока 5-7мА. Небольшой недостаток включения тиристора через диодный мост — это потери напряжения на нем, порядка 20В. Свечение лампы по данной схеме будет чуть тускнее нежели при прямом включении.
На рисунке 2 показана схема включения тиристора через транзистор. Управляющий ток проходящий через резистор R2 невелик и составляет не более 30мА. Условие выбора транзистора должно быть следующим, что бы максимальное напряжение коллектор эмитер было не менее 300В.
Тиристоры
Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (напримертринистор, изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).
Схемы вкл. тиристоров
3 с помощью оптопары 4 по аноду
Свето фотодиоды
Фотодио́д — приёмник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счёт процессов в p-n-переходе.
Светодио́д — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока в прямом направлении.
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый элемент, имеющий трехслойную структуру, которая образует два электронно-дырочных перехода. Поэтому транзистор можно представить в виде двух встречно включенных диода. В зависимости от того, что будет являться основными носителями заряда, различают p-n-p и n-p-n транзисторы.
База – слой полупроводника, который является основой конструкции транзистора.
Эмиттером — слой полупроводника, функция которого инжектирование носителей заряда в слой базы.
Коллектором — слой полупроводника, функция которого собирать носители заряда прошедшие через базовый слой. 
При включении транзистора в режиме усиления, эмиттерный переход получается открытым, а переход коллектора закрыт. Это получается путем подключения источников питания.
Поскольку эмиттерный переход открыт, то через него будет проходить эмиттерный ток, возникающий из-за перехода дырок из базы в эмиттер, а так же электронов из эмиттера в базу. Таки образом, ток эмиттера содержит две составляющие – дырочную и электронную. Коэффициент инжекции определяет эффективность эмиттера. Инжекцией зарядов именуют перенос носителей зарядов из зоны, где они были основными в зону, где они делаются неосновными.
В базе электроны рекомбинируют, а их концентрация в базе восполняется от плюса источника ЕЭ. В результате этого в электрической цепи базы будет течь довольно слабый ток. Оставшиеся электроны, не успевшие рекомбинировать в базе, под разгоняющим воздействием поля запертого коллекторного перехода, как неосновные носители, будут перемещаться в коллектор, создавая коллекторный ток. Перенос носителей зарядов из зоны, где они были неосновными, в зону, где они становятся основными, именуется экстракцией электрических зарядов.
Взаимная коагуляция коллоидных растворов.
Коагуляция смесью электролитов.
При коагуляции коллоидных растворов смесью электролитов возможны три случая:
а) коагулирующее действие суммируется, т. е. наблюдается аддитивное действие, как, например, для смеси электролитов NaCl + KCl;
б) снижение коагулирующего действия одного иона в присутствии другого (антогонизм) наблюдается у ионов различной зарядности, например, антогонизм ионов Al 3+ и K + при коагуляции отрицательно заряженных коллоидных частиц AgI;
в) синергизм – взаимное усиление коагулирующей способности ионов, например, при коагуляции отрицательно заряженного золя золота коагулирующее действие смеси электролитов LiCl + CsCl3 усиливается и превышает сумму коагулирующих способностей отдельных электролитов.
При смешении двух золей с противоположными зарядами частиц в результате их электростатического притяжения наблюдается взаимная коагуляция.
Вольтамперные характеристики тиристоров относятся к S-образным характеристикам приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. ВАХ тиристора имеет несколько различных участков (рис. 7.2).
Прямое смещение тиристора соответствует положительному напряжению, подаваемому на первый p1-эмиттер тиристора.
Положительным считается направление тока, втекающего в анодную область р-типа электропроводности, к которой подсоединен положительный полюс источника питания. Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением.
В этом случае основная часть напряжения VG падает на коллекторном переходе П3, который смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П1 и П2 включены в прямом направлении.
 |
| Рис. 7.2 ВАХ тиристора: VG – напряжение между анодом и катодом; Iу, Vу – минимальные удерживаемые ток и напряжение; Iв, Vв – ток и напряжение включения |
Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ pn-перехода. На участке 1-2 дифференциальное сопротивление положительное и имеет большое значение. С ростом тока дифференциальное сопротивление постепенно уменьшается и в точке (2) становится равным нулю. Участок 2-3 соответствует отрицательному дифференциальному сопротивлению. Участок 3-4 характеризуется малым положительным дифференциальным сопротивлением.
Рассмотрим характерные точки ВАХ тиристора. Точку, для которой напряжение на прямой ветви ВАХ тиристора максимально, называют точкой включения. Напряжение на аноде, соответствующее этой точке, называют напряжением включения Uв, а ток – током включения Iв.
В точке переключения дифференциальное сопротивление обращается в нуль, а напряжение на структуре достигает максимального значения, равного напряжению включения Uв.
Напряжение включения – это анодное напряжение в прямом направлении, при котором в двухэлектродном (динисторном) включении тиристор переходит из закрытого состояния в открытое. Напряжение включения обычно имеет небольшой запас относительно напряжения лавинного пробоя коллекторного перехода.
Ток включения Iв – это такое значение анодного тока тиристора при прямом направлении, при превышении которого тиристор в двухэлектродном включении переключается в открытое состояние.
Если уменьшать ток через тиристор, то по достижении некоторого минимального тока, который необходим для поддержания его в открытом состоянии, называемого током выключения Iвыкл или Iу (удерживающим), происходит переключение в закрытое состояние.
Эквивалентная схема тиристора может быть представлена с помощью двух транзисторов (рис. 7.3), таким образом, тиристор можно рассматривать как соединение рnр-транзистора с nрn-транзистором, причем коллектор каждого из них соединен с базой другого.
 |
| Рис. 7.3. Двухтранзисторная модель диодного тиристора |
К катоду тиристора прикладывается отрицательное (или нулевое) напряжение, к аноду положительное. При положительном анодном напряжении эмиттерные переходы смещены в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Через эмиттерные переходы в базовые области инжектируются неосновные носители заряда. Посредством диффузии или дрейфа они перемещаются к коллекторному переходу. Часть носителей на этом пути рекомбинирует, а оставшиеся – достигают коллекторного перехода. Генерируемые в области ОПЗ коллекторного перехода электроны и дырки разделяются полем этого перехода и поступают соответственно в n-и p-базы. Для инжектированных эмиттерами носителей заряда в коллекторном переходе нет потенциального барьера, и они переходят в базовые области: дырки в p-базу, а электроны в n-базу.
 |
| Рис. 7.4. Зонная диаграмма и токи в тиристоре в закрытом (а) состоянии |
Задерживаемые потенциальными барьерами эмиттерных переходов, дырки и электроны образуют избыточные положительные и отрицательные заряды в соответствующих базах, что аналогично приложению прямого напряжения к эмиттерным переходам. Потенциальные барьеры эмиттеров понижаются, что вызывает увеличение инжекции дырок из p-эмиттера в n-базу и электронов из n эмиттера в p-базу.
При увеличении напряжения коллекторного перехода в области ОПЗ коллектора начинается лавинное умножение неосновных носителей, что приводит к росту потоков электронов и дырок и их накопление в соответствующих базах.
Появление дополнительного отрицательного заряда электронов в n-базе приводит к приоткрыванию эмиттерного перехода pnp-транзистора и инжекции дырок, заряд которых нейтрализует накопленный в базе заряд электронов.
 |
| Рис. 7.5. Зонная диаграмма и токи в тиристоре в открытом (б) состоянии |
Появление дополнительного положительного заряда дырок в p-базе приводит к приоткрыванию эмиттерного перехода pnp-транзистора и инжекции электронов, заряд которых нейтрализует накопленный в базе заряд дырок. Инжектированные дополнительно носители через коллектор попадают в соседнюю базу, способствуя дальнейшему открыванию соответствующих эмиттерных переходов и нарастанию тока. Процесс будет повторяться до тех пор, пока не будет достигнут предельно возможный в данной цепи ток, обусловленный внешней нагрузкой. При этом тиристор переходит во включенное состояние (отр. 3-4 на рис. 7.2), в котором он обладает минимальным сопротивлением. При этом как pnp-транзистор, так и npn-транзистор попадают в режим насыщения.
ВАХ тиристора в двухэлектродном включении представляет собой зависимость напряжения на аноде в функции тока анода UA(IA). При двухэлектродном включении тиристора ток управления равен нулю (IУ=0) и поэтому ток анода равен току катода IA=IK=I.
При задании тока I через тиристор эмиттеры pnp— и npn-структур инжектируют неосновные носители зарядов в базовые области соответствующих транзисторов, которые собираются общим для обеих структур коллектором.
Напряжение между анодом и катодом определяется суммой напряжений на ОПЗ рn-переходов структуры. В данном случае мы проводим простейший анализ и падением напряжения на областях квазиэлектронейтралых баз пренебрегаем:
| UA = U1 — U2 + U3 | (7.1) |
Общий ток тиристора I=∙IА= IК, будет включать как управляемые токи, так и тепловой ток коллекторного перехода Iк0:
| I=αp∙IА +αn∙IК+Iк0=Iк0+(αp+αn)∙I | (7.2) |
 |
(7.3) |
Ток анода, при котором выполняется условие 
= 1 является током включения Iв, так как при этом токе имеет место максимум кривой U(I).
Необходимым условием формирования S-образной ВАХ тиристора с участком отрицательного дифференциального сопротивления является зависимость суммы коэффициентов передачи тока α=α1+α2 от тока через структуру.
Из формулы (7.3) следует, что если
| (α1 + α2) → 1, | (7.4) |
то ток тиристора стремится к бесконечности. Таким образом (7.4) и будет условием включения тиристора. На рис. 7.5 показаны зависимости коэффициентов αp=α1, αn=α2 и αS=(α1+α2) от тока через тиристор.
 |
Поскольку ток определяется напряжением на тиристоре, аналогичная зависимость будет, если использовать в качестве аргумента напряжение. При этом моменту включения тиристора будут соответствовать значения некоторого порогового тока и напряжения: Iв, Uв. Изменяя характер зависимости αp(I) или αn(I) возможно изменять значения тока и напряжения, при которых происходит переход тиристора в состояние с малым сопротивлением.
При увеличении тока эмиттера могут возрастать как коэффициент переноса æ, так и коэффициент инжекции γ. Увеличение коэффициента переноса может происходить вследствие появления ускоряющего электрического поля, уменьшения рекомбинационных потерь неосновных носителей заряда в базе и возрастания времени жизни носителей с ростом уровня инжекции.
Учтем еще один фактор – лавинное умножение в коллекторном переходе П3 через коэффициент лавинного умножения М. Тогда суммарный ток I через переход П3 будет равен:
 |
(7.6) |
где M – коэффициент лавинного умножения, который предполагается одинаковым для электронов и дырок и определяется формулой Миллера (5.52). Откуда:
 |
(7.7) |
где α=αp+αn – суммарный коэффициент передачи тока первого (p1n1p2) и второго (n2p2n1) транзисторов. Выражение (7.7) в неявном виде описывает ВАХ диодного тиристора на "закрытом" участке, поскольку коэффициенты М и α зависят от приложенного напряжения VG. По мере роста α и М с ростом VG, когда значение М(α1+α2) станет равно 1, из уравнения (7.7) следует, что ток I устремится к ∞. Это условие и есть условие переключения тиристора из состояния "закрыто" в состояние "открыто".
Таким образом, в состоянии "закрыто" тиристор должен характеризоваться малыми значениями α и М, а в состоянии "открыто" – большими значениями коэффициентов α и М.
В закрытом состоянии (α – малы) все приложенное напряжение падает на коллекторном переходе П3 и ток тиристора – это ток обратно смещенного pn— перехода. Чтобы выключить транзистор необходимо создать условия, при которых исчезает заряд, инжектированный в базы транзистора, и, соответственно, концентрации неосновных носителей около коллекторного перехода становятся меньше или равны равновесным. При этом будет иметь место выход pnp- и npn-транзисторов из режима насыщения и переход тиристора в состояние с высоким сопротивлением. Проще всего выключить тиристор, прекратив на некоторое время инжекцию заряда через эмиттерные переходы. При питании тиристора переменным напряжением это происходит автоматически в момент, когда напряжение проходит через ноль.
Если полярность напряжения между анодом и катодом сменить на обратную, то переходы П1 и П3 будут смещены в обратном направлении, а П2 – в прямом. ВАХ тиристора в этом случае будет обычная ВАХ двух обратносмещенных pn-переходов.
При подаче анодного напряжения обратной полярности через тиристор протекает обратный ток Iобр, указываемый как параметр для максимального обратного напряжения Uобр max.
Быстродействие тиристоров характеризуют временем включения, и временем выключения. Как и в транзисторе, эти времена определяются процессами накопления и рассасывания избыточных носителей заряда в областях четырехслойной структуры.
Для того чтобы снизить порог включения достаточно ввести неосновные носители заряда в одну из баз тиристора. Осуществить это возможно, изготовив дополнительный управляющий электрод к одной из баз транзистора. Тогда чем больше ток управляющего электрода, тем раньше будет наступать включение (см. рис. 7.6).
 |
| Рис. 7.6 Структура и ВАХ тиристора в триодной схеме |
Рассмотрим влияние тока управления на ВАХ тиристора более подробно. При двухэлектродном включении тиристора основные носители, необходимые для установления рекомбинационного равновесия в базах, поступают в n— и р-базы тиристора через коллекторный рn-переход. При подаче тока управления Iу в р-базу тиристора через управляющий электрод тиристора вводятся дополнительные основные носители (дырки) и поэтому рекомбинационное равновесие достигается при меньших значениях собственного тока коллекторного перехода Ik и, следовательно, меньших значениях напряжения UA на рnрn-структуре.
Вследствие зависимости коэффициентов передачи тока от тока анода при наличии дополнительного тока Iу кривая на рис. 7.6,б сместится влево по оси токов, напряжение включения тиристора с ростом положительного тока управления уменьшается. При некотором достаточно большом токе управления участок отрицательного сопротивления исчезает. В этом случае говорят, что происходит спрямление ВАХ тиристора, а соответствующий ток управления называют током управления спрямления Iy.спр.
Ток Iу является одним из главных параметров тринисторов (трехэлектродных тиристоров). Постоянный отпирающий ток управляющего электрода Iу вкл – минимальное значение постоянного тока управляющего электрода, которое обеспечивает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое при определенном режиме в основной цепи. Этому току соответствует постоянное отпирающее напряжение Uу вкл на управляющем электроде.
Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:
